Table I-4 to Subpart I of Part 98 - — Default Emission Factors (1-Uij) for Gas Utilization Rates (Uij) and By-Product Formation Rates (Bijk) for Semiconductor Manufacturing for 300 mm and 450 mm Wafer Size  


Latest version.
  • Table I-4 to Subpart I of Part 98 - Default Emission Factors (1-Uij) for Gas Utilization Rates (Uij) and By-Product Formation Rates (Bijk) for Semiconductor Manufacturing for 300 mm and 450 mm Wafer Size

    Table I-4 to Subpart I of Part 98 - Default Emission Factors (1-Uij) for Gas Utilization Rates (Uij) and By-Product Formation Rates (Bijk) for Semiconductor Manufacturing for 300 mm and 450 mm Wafer Size

    Process type/sub-type Process gas i
    CF4 C2F6 CHF3 CH2F2 CH3F C3F8 C4F8 NF3 SF6 C4F6 C5F8 C4F8O
    Etching/Wafer Cleaning
    1-Ui 0.65 0.80 0.42 0.21 0.33 0.30 0.18 0.15 0.32 0.15 0.10 NA
    BCF4 NA 0.21 0.095 0.049 0.045 0.21 0.045 0.046 0.040 0.059 0.11 NA
    BC2F6 0.079 NA 0.064 0.052 0.00087 0.18 0.031 0.045 0.044 0.074 0.083 NA
    BC4F6 NA NA 0.00010 NA NA NA 0.018 NA NA NA NA NA
    BC4F8 0.00063 NA 0.00080 NA NA NA NA NA NA NA NA NA
    BC3F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA 0.00012 NA
    BCHF3 0.011 NA NA 0.050 0.0057 0.012 0.027 0.025 0.0037 0.019 0.0069 NA
    BCH2F2 NA NA 0.0036 NA 0.0023 NA 0.0015 0.00086 0.000029 0.000030 NA NA
    BCH3F 0.0080 NA 0.0080 0.0080 NA 0.00073 NA 0.0080 NA NA NA NA
    Chamber Cleaning
    In situ plasma cleaning:
    1-Ui NA NA NA NA NA NA NA 0.23 NA NA NA NA
    BCF4 NA NA NA NA NA NA NA 0.037 NA NA NA NA
    BC2F6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA
    BC3F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA
    Remote Plasma Cleaning:
    1-Ui NA NA NA NA NA 0.063 NA 0.017 NA NA NA NA
    BCF4 NA NA NA NA NA NA NA 0.075 NA NA NA NA
    BC2F6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA
    BC3F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA
    In Situ Thermal Cleaning:
    1-Ui NA NA NA NA NA NA NA 0.28 NA NA NA NA
    BCF4 NA NA NA NA NA NA NA 0.010 NA NA NA NA
    BC2F6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA
    BC3F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

    [81 FR 89256, Dec. 9, 2016]